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国际半导体器件研究研讨会betway亚洲

内容:国际半导体器件研究研讨会是一个学术会议。betway亚洲会议出版的主要领域(s): MOSFET和栅氧化物。在整个生命周期中,该会议共发表了1476篇出版物,获得了4596次引用。
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期刊文章 DOI
h . Klaukg·施密德 1 机构(1
2001年1月01
文摘:我们对柔性聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜上制备的并五苯otft的电特性进行了分析。镍、二氧化硅和钯通过离子束溅射沉积,并通过光刻和抬升制模,分别形成栅极电极、栅极介电层和源极和漏极触点。采用十八烷基三氯硅烷蒸汽素制备SiO/sub 2/栅介质表面,用于沉积并五苯层,并通过热蒸发沉积并使用水溶性的光纹聚乙烯醇层进行图案化。

328引用


学报的文章 DOI
Jr . W.N.夏普 1 机构(1
2001年12月05
文摘:MEMS使用多晶硅等材料,其电学性能已被广泛表征,但机械性能却不被广泛表征。铝的性能当然是众所周知的,但不适用于独立薄膜。在非常现实的意义上,MEMS中使用的材料是新材料,需要新的测试方法。人们不能简单地剪出一个标本,然后把它放在测试机器上;在设计试件时,必须使试件在某一点上附着在基体上,但不变形。测量小的力和位移是一个挑战,特别是在微观尺度上测量应变是非常困难的。

101引用


期刊文章 DOI
Mulpuri诉饶 1 机构(1
2001年12月05
文摘:离子注入是SiC器件平面选择性区域掺杂不可或缺的技术,因为在SiC不分解的温度下,所需掺杂剂的热扩散是不可能的。在植入后退火过程中,SiC晶圆中Si的不一致蒸发限制了可用于修复晶格损伤和引导植入物进入取代晶格位置的最高退火温度。其他问题还包括离子注入引起的非化学计量干扰,导致注入区Si和C原子浓度和空位浓度深度分布不均匀;如果植入晶格损伤是非晶态的,则很难将晶格质量恢复到原始水平。SiC离子注入需要在500 - 1000℃/spl℃的高温下进行。另一个问题是SiC中有用的给体(/spl sim/ 80 meV)和受体(> 240 meV)杂质的深度电离能,这限制了最大载流子浓度。介绍了在6H-和4H-SiC中植入供体、受体和补偿种离子的结果。

65引用


期刊文章 DOI
X.P.王 1中频李 2中频李 1艾伯特的下巴 + 14个吧 机构(3.
01 2006年6月
文摘:本文系统研究了高κ栅极介质Hf(1−x) La x O y的物理和电特性。横断面透射电镜和x射线衍射证实,HfO 2薄膜在900℃退火30 s后结晶。另一方面,x = 0.15 (15% La)和x = 0.5 (50% La)的Hf(1−x) La x O y薄膜在900℃退火30 s后仍保持非晶态。此外,与HfO 2薄膜相比,Hf(1−x) La x O y薄膜制备的nmosfet在驱动电流、电子迁移率、电荷捕获诱发阈值电压不稳定性和栅极泄漏电流方面表现出更好的电学性能。我们还首次报道了加入La的TaN(或HfN)金属栅的有效功函数调谐,以满足nmosfet的功函数要求。Hf(1−x) laxo y的这些独特和有利的特性使其成为一种有前途的高κ栅介质,可以取代sio2和SiON,以满足国际半导体技术路线图(ITRS)对高κ介质的要求。

55引用


学报的文章 DOI
2003年12月10
文摘:本文提出了应变Si/SiGe finfet的三维结构和模拟方法。在三维模拟中使用了通道掺杂10/sup 16/ cm/sup -3/,双多晶硅栅1.5 nm栅氧化物,突变源/漏-通道结,Si/sub 0.8/Ge/sub 0.2/体,周围固定为5 nm的Si。在阈值电压(V/sub T/)下应变Si/SiGe器件产生更好的栅极控制、更小的滚离特性、更小的阈下摆动和显著的g/sub m/增强。通过三维仿真,证明了这种具有增强载流子迁移率和异质结约束的新型应变Si/SiGe FinFET具有极大的NMOS性能。

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