论文
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英飞凌科技
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TL;博士:本文对柔性聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜上制备的并五苯薄膜的电学性能进行了分析。Butts等人使用十八烷基三氯硅烷蒸汽prime制备SiO/sub 2/ gate介质表面，用于并五苯层的沉积。
文摘:本文分析了柔性聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜上制备的并五苯OTFTs的电学特性。镍、二氧化硅和钯通过离子束溅射沉积，并通过光刻和剥离形成栅极电极、栅极介电层以及源极和漏极触点。采用十八烷基三氯硅烷蒸汽prime制备SiO/sub 2/ gate介质表面，并对并五苯层进行热蒸发沉积，并使用水溶性光模聚乙烯醇层进行图案化。
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约翰霍普金斯大学
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TL;博士:本文提出了一种在宏观尺度上难以测量的多晶硅样品的微小力和位移的测试方法。
文摘:MEMS使用材料，如多晶硅，已被广泛表征为其电学性能，而不是其机械性能。铝的性质当然是众所周知的，但对于独立式薄膜来说却不是这样。在非常现实的意义上，用于MEMS的材料是新材料，需要新的测试方法。人们不能简单地剪下一个样品并将其放在测试机器中;一个必须设计的试样附着在基材上的某一点，但自由变形。测量小的力和位移是一项挑战，在微观尺度上测量应变尤其困难。
101引用
乔治梅森大学
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TL;博士:离子注入是SiC器件平面选择区掺杂不可缺少的技术，因为在SiC不分解的温度下，理想掺杂剂的热扩散是不可能的。
文摘:离子注入是SiC器件平面选择区掺杂不可缺少的技术，因为在SiC不分解的温度下，理想掺杂剂的热扩散是不可能的。在植入后退火过程中，Si从SiC晶片上的不一致蒸发限制了可用于修复晶格损伤和引导植入物进入取代晶格位置的最大退火温度。其他问题包括离子注入引起的非化学计量干扰，导致注入区Si和C原子浓度和空位浓度深度分布不均匀;如果晶格损伤是非晶态的，则很难将晶格质量恢复到原始水平。SiC中的离子注入需要在500 - 1000 /spl℃的高温范围内进行。另一个问题是SiC中有用的供体(/spl sim/ 80 meV)和受体(> 240 meV)杂质的深度电离能，这限制了最大载流子浓度。给出了供体、受体和补偿种离子在6H-和4H-SiC中的植入结果。
65引用
六月一日
TL;博士:本文系统研究了高κ栅极介质Hf(1−x) La x O y的物理和电学性能，并报道了La掺入TaN(或HfN)金属栅极的有效工作函数调整，以满足nmosfet的工作函数要求。
文摘:本文系统地研究了高κ门介质Hf(1−x) La x O y的物理和电特性。横断面透射电子显微镜和x射线衍射证实，HfO 2薄膜在900℃退火30 s后结晶。另一方面，x = 0.15 (15% La)和x = 0.5 (50% La)的Hf(1−x) La x O y薄膜在900℃退火30 s后仍保持非晶态。此外，与hfo2薄膜相比，用Hf(1−x) La x O y薄膜制备的nmosfet在驱动电流、电子迁移率、电荷俘获诱发阈值电压不稳定性和栅漏电流方面表现出更好的电学性能。我们还首次报道了加入La的TaN(或HfN)金属栅极的有效工作函数调整，以满足nmosfet的工作函数要求。Hf(1−x) La x O y的这些独特而有利的特性使其成为一种有前途的高κ门电介质，以取代sio2和SiON，以满足国际半导体技术路线图(ITRS)对高κ电介质的要求。
55引用
中原基督教大学
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TL;博士:本文提出了一种应变Si/SiGe FinFET的三维结构和模拟，其中通道掺杂为10/sup 16/ cm/sup -3，双多晶硅栅1.5 nm栅氧化物，源/漏-通道突变结，Si/sub 0.8/Ge/sub 1.2/体，固定5 nm Si环绕。
文摘:本文提出了应变Si/SiGe finfet的三维结构和仿真。三维模拟使用了10/sup 16/ cm/sup -3/沟道掺杂，双多晶硅栅1.5 nm栅氧化物，源/漏-沟道突结，Si/sub 0.8/Ge/sub 0.2/体，固定5 nm Si环绕。在阈值电压(V/sub T/)下，应变Si/SiGe器件产生了更好的栅极控制、更小的滚脱特性、更小的亚阈值摆动和显著的g/sub m/增强。三维仿真结果表明，这种新型应变Si/SiGe FinFET具有增强的载流子迁移率和异质结约束，极大地提高了NMOS的性能。
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